SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM) 기술 경쟁력을 발판으로 수익성 확대 기조를 이어간다. HBM3E 제품의 안정적인 출하를 통해서는 4분기에 HBM 매출이 늘어날 것이라고 내다봤다. 일각에서 제기되는 HBM 공급 과잉 우려에는 '시기상조'라고 선을 그었다. 수요는 여전히 늘고 있다고 강조했다. SK하이닉스는 올해 투자 규모를 연초 계획 대비 다소 증가한 10조원 중후반대로 예상했다. 내년 투자는 더욱 늘어날 것이라고 강조했다. 

24일 SK하이닉스는 3분기 실적발표 콘퍼런스콜에서 "3분기 중 HBM3E 출하량이 HBM3을 넘어섰고 4분기는 예정대로 HBM3E 12단 출하를 시작한다"며 "D램 매출 성장 견인하는 HBM 매출 비중은 3분기 30%로 확대됐고, 4분기 40% 수준에 이를 것으로 전망된다"고 말했다. 

SK하이닉스는 수요 둔화와 공급 과잉을 우려한 기관투자자 질문에도 답했다. 회사 측은 "앞으로는 컴퓨팅 파워의 요구량이 더 늘어나고 계산 자원이 더 필요할 것으로 예상돼 현 시점에서 HBM의 공급과잉을 언급하는 것은 시기상조다"라며 "오히려 HBM 신제품 개발에 필요한 기술의 난이도는 더 증가하고 있고, 고객 인증 여부 등과 같은 여러 요인을 감안하면 메모리 업계가 고객이 요구하는 품질의 제품을 적기에 충분히 공급하는 것이 쉽지 않을 것으로 보인다"고 말했다. 

HBM 수요 증가에 따라 평균가격도 전년 대비 상승할 것으로 예상했다. SK하이닉스는 "당사 평균 HBM 가격은 전년보다 상승할 것으로 본다"며 "당사 D램 매출 구조는 HBM 비중이 연말 40%에 도달할 만큼 커지면서 사업 안정성이 커졌다. HBM 상대적으로 높은 평균판매단가(ASP) 고려하면 당사 블랜디드 D램 ASP는 일부 제품 가격 하락하더라도 개선세 유지될 것으로 전망한다. 앞으로 HBM 사업 강화로 안정적 매출 확보하면서도 수익성은 극대화하겠다"고 말했다.  

이와 함께 PC와 모바일 수요 개선 지연에 따라 D램 가격 변동성이 높아지고 있는 점도 설명했다. 중국 CXMT 등 업체가 레거시 시장에 진출하며 DDR4와 LPDDR4 등 구형 D램은 가격은 하락하고 있다. 

SK하이닉스는 "고성능 DDR5와 LPDDR5는 후발주자가 따라잡기에 아직 시간이 걸린다"며 "향후 수요는 이 제품을 중심으로 이어질 것이고, 제품의 가격 하락은 제한적일 것이다"라고 말했다. 

SK하이닉스는 HBM 시장에서 주도권을 쥐고 있는 만큼 내년 하반기엔 HBM3E 12단 제품을 통해 수익성이 극대화될 것으로 내다봤다. 3분기 HBM3E 비중이 HBM3을 넘어섰는데 내년 하반기엔 시장 수요가 HBM3E 8단에서 12단으로 빠르게 전환될 것이란 분석이다. 

SK하이닉스는 "HBM3E 12단은 내년 상반기 8단 판매 물량을 넘어설 것으로 보고 있고, 내년 하반기엔 대부분 물량이 12단 제품이 될 것으로 예상한다"며 "당사는 단수 증가로 공정 난이도가 높아지는 만큼 순조로운 양산 위한 제반을 미리 준비해 갖췄고, 고객과의 협의로 12단 수요를 선점하겠다"고 말했다. 

HBM3E 제품의 추가 수요에 대해선 레거시 선단 공정 전환을 통해 대응한다는 방침이다. SK하이닉스는 "올해 TSV 생산능력을 2배 확보한다는 계획이 순조롭게 진행 중이지만 현재 증가된 수요에 모두 대응하는 것에는 한계가 있다"며 "특히 HBM3E 수요가 예상보다 빠르게 증가하고 있어 HBM3와 DDR4 활용 레거시 테크를 선단 공정으로 전환해 수요 둔화되는 제품 생산 줄이고 HBM3E 생산 확대 집중해 수요 대응하겠다"고 말했다. 

또 "수요에 맞춘 유연한 생산 계획을 통해 레거시 제품의 재고를 점진적으로 소진하면, 내년 상반기 중에는 업계 전반의 레거시 제품 재고가 정상화될 것으로 전망하고 있다"고 말했다. 

회사는 낸드 사업에 대해 외형 성장보다는 수익성 우선, 투자 최적화에 집중한다는 방침이다. 

SK하이닉스는 "수익성 확보 담보되는 제품 공정 전환에만 케팩스 집행하며 투자 효율성 집중하고 있고, 업계 재고 정상 수준 회복되고 본격적인 수요 개선 가시화될 때까지는 보수적 캐파 운영과 투자 기조를 유지하겠다"며 "낸드 시장서 뚜렷한 수요 회복세 보이는 eSSD와 같은 고수익 중심 제품 믹스 강화하고 있고 초고용량 eSSD 라인업 확대해 포트폴리오를 더욱 고도화할 예정이다"라고 말했다. 

SK하이닉스는 M15X 공장과 용인 반도체 클러스터 1기 팹 투자로 인해 내년 인프라 투자가 올해보다 증가할 것으로 내다봤다. M15X가 회사 D램 생산에 기여하는 시점으론 2026년을 예상했다. 

내년 투자와 관련해선 "올해 투자는 연초 계획보다 증가한 10조원대 후반대를 예상한다. 2026년은 HBM 안정적 공급 위한 투자, 1bnm 전환과 TSV 캐파 확보, 후공정 캐파 투자 등 고객과의 공급계약 체결로 수요 확보된 제품 투자와 레거시 제품 줄이는 대신 선단 공정 전환 투자, M15X와 용인 인프라 투자 지속 등을 고려해 올해 보다는 소폭 증가할 것으로 예상한다"고 말했다. 

박혜원 기자 sunone@chosunbiz.com

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